硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數(shù)器件都采取體硅cmos工藝（硅的原資料是沙子）制作，但有一個(gè)部門卻難以實(shí)現(xiàn)，那就是射頻前端。目前射頻前端重要采取gaas或sige工藝制作，但因?yàn)橘Y料的稀缺性跟接近傳感器工藝的龐雜性，射頻前端芯片（rfeic）良率不高，成本太貴。這妨礙了物聯(lián)網(wǎng)（iot）傳感器節(jié)點(diǎn)（單價(jià)應(yīng)低于1美元）的遍及。
rfaxis是一家專一于射頻前端設(shè)計(jì)的公司，該公司解決了以尺度cmos工藝出產(chǎn)rfeic的困難。rfaxis公司產(chǎn)品營(yíng)銷和客戶利用工程總監(jiān)虞強(qiáng)博鹵素?zé)?/a>士表現(xiàn)，以往有良多對(duì)于用cmos技巧設(shè)計(jì)制造射頻前真?zhèn)�論文，然而真正實(shí)現(xiàn)起來(lái)卻有很大難度：1.cmos的擊穿電壓較低，難以做到大功率；2.截止頻率低即惰性強(qiáng)，要接觸器進(jìn)步功率需選用較厚材料，然而卻會(huì)增添惰性；3.電導(dǎo)率低，難以把直流轉(zhuǎn)換成射頻信號(hào)，這又關(guān)涉到轉(zhuǎn)換效力（功耗）跟增益問(wèn)題。
rfaxis射頻衰減器寰球銷售副總裁raymond biagan先容道，rfaxis生產(chǎn)的rfeic是高集成度的單芯片、單裸片解決計(jì)劃。與傳統(tǒng)采用分破器件或前端模塊（fem）所開(kāi)發(fā)的rf前端比擬，rfaxis cmos工藝器件豈但大幅下降了成本，體系龐雜度及噪聲也同時(shí)減少。
射頻前真?zhèn)�重要功效是連吸收發(fā)器和天線，用以增大輸出功率，進(jìn)步接受敏銳度，增長(zhǎng)傳輸速率和間隔。傳統(tǒng)的rfic由獨(dú)立的pa（功率放大器）、lna（低噪聲放大器）、開(kāi)關(guān)（sw）和分破器件所組成，采用gaas或sic工藝將其聯(lián)合在一個(gè)模塊里。另外，其集成度遠(yuǎn)低于純cmos工藝產(chǎn)品。
gaas或sic工藝產(chǎn)品無(wú)奈做到高集成度，通常在一個(gè)緊急出口標(biāo)志芯片內(nèi)包括兩個(gè)以上裸片，而后通過(guò)引線鍵合銜接在一起。而rfaxis的芯片則是完整由一個(gè)單裸片所組成，而且這樣性能也得到更加優(yōu)化。
rfaxis是獨(dú)一一家以純cmos工藝生產(chǎn)rfeic的公司，其產(chǎn)品與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手比擬性能相稱。而且由于是采用純cmos工藝出產(chǎn)，所以無(wú)論是工藝仍是交貨周期都優(yōu)于gaas工藝。
在全部半導(dǎo)體行業(yè)中，gaas及sige相對(duì)cmos來(lái)講只是十分小的一個(gè)局部。gaas及sige是無(wú)比稀缺的資源，無(wú)線通訊的發(fā)展受限于這些資源的稀缺性。這就是為什么最近4g lte市場(chǎng)暴發(fā)，然而競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手卻無(wú)奈及時(shí)交貨的起因。
傳統(tǒng)gaas工藝的晶圓采用6英寸工藝，其成本弘遠(yuǎn)于1000美元，而rfaxis采用0.18μm的8英寸晶圓的成本卻遠(yuǎn)小于1000美元。這也就是說(shuō)rfaxis的晶圓比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的面積更大，但是價(jià)錢卻更廉價(jià)，因而rfaxis單顆裸片成本遠(yuǎn)小于gaas工藝。另外，gaas是特別工藝，其良率遠(yuǎn)低于cmos工藝。
3：高通xb143參考設(shè)計(jì)用rfx8050/8051代替了skyworks和rfmd產(chǎn)品。
“咱們的產(chǎn)品的上風(fēng)是：1.本錢更低；2.集成度更高；3.超出競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的機(jī)能；4.更好的esd維護(hù)機(jī)能，由于cmos工藝的電導(dǎo)性更好，工作溫度也更高；5.外部電路更簡(jiǎn)略，更易于開(kāi)發(fā)，體系本錢也更低。”biagan最后總結(jié)道。